Η Samsung Electronics σχεδιάζει να λανσάρει τεχνολογία V-NAND επόμενης γενιάς

Σύμφωνα με δημοσιεύματα κορεατικών μέσων ενημέρωσης, η Samsung Electronics σχεδιάζει να λανσάρει τεχνολογία V-NAND επόμενης γενιάς με περισσότερα από 400 επίπεδα το 2026 και να κυκλοφορήσει 0a nm DRAM βασισμένη στη δομή VCT το 2027. Αυτός ο νέος τύπος τεχνολογίας V-NAND ονομάζεται BV (Bonding Vertical) NAND Θα αλλάξει την υπάρχουσα περιφερειακή δομή CoP κατασκευάζοντας τις κυψέλες μνήμης και τα περιφερειακά κυκλώματα ξεχωριστά και στη συνέχεια εκτελώντας κάθετη σύνδεση, αποφεύγοντας έτσι τη διαδικασία στοίβαξης δεν καταστρέφει τη δομή του περιφερειακού κυκλώματος και μπορεί να επιτύχει μια πυκνότητα bit που είναι 60% υψηλότερη από τη λύση CoP. Επιπλέον, ο αριθμός των επιπέδων V11 NAND το 2027 θα αυξηθεί περαιτέρω, ο ρυθμός εισόδου/εξόδου μπορεί να αυξηθεί κατά 50% και αναμένεται να επιτευχθούν χιλιάδες επίπεδα στοίβαξης στο μέλλον.