SiC MOSFET gëtt d'Technologie vun der Wiel fir elektresch Gefierer

Mat der rapider Expansioun vun der Produktiounskapazitéit an der Verbesserung vun der Produktiounskapazitéit huet SiC MOSFET Duerchbroch an der Leeschtung an Zouverlässegkeet erreecht, a seng Käschte si wesentlech reduzéiert. Och wann den Duerchschnëttspräis nach ëmmer ongeféier 3 Mol méi héich ass wéi den gläichwäertege Si IGBT, sinn d'Charakteristike vu SiC MOSFET et favoriséiert vun Hiersteller wéi Tesla, Hyundai a BYD. De Maart gëtt erwaart bis $36 Milliarde bis 2035 ze wuessen.