SiC MOSFET се превръща в предпочитаната технология за електрически превозни средства

С бързото разширяване на производствения капацитет и подобряването на производствения капацитет, SiC MOSFET постигна пробиви в производителността и надеждността и разходите му бяха значително намалени. Въпреки че средната цена все още е около 3 пъти по-висока от еквивалентния Si IGBT, характеристиките на SiC MOSFET го правят предпочитан от производители като Tesla, Hyundai и BYD. Очаква се пазарът да нарасне до 36 милиарда долара до 2035 г.