SiC MOSFET стає технологією вибору для електромобілів

Завдяки швидкому розширенню виробничих потужностей і вдосконаленню виробничих потужностей SiC MOSFET досяг прориву в продуктивності та надійності, а його вартість була значно знижена. Незважаючи на те, що середня ціна все ще приблизно в 3 рази вища, ніж еквівалент Si IGBT, характеристики SiC MOSFET роблять його перевагою серед таких виробників, як Tesla, Hyundai і BYD. Очікується, що до 2035 року ринок зросте до 36 мільярдів доларів.