SiC MOSFET-gui oiko tecnología ojeporavóva mba'yrumýi eléctrico-pe guarã

Pya’e oñembotuichave rupi capacidad de producción ha oñemyatyrõvo capacidad de producción, SiC MOSFET ohupyty avance desempeño ha confiabilidad-pe, ha tuicha oñemboguejy hepykue. Jepémo pe precio promedio oî gueteri 3 veces rupi yvateve pe equivalente Si IGBT-gui, umi característica SiC MOSFET rehegua ojapo chugui favorecido umi fabricante ha'eháicha Tesla, Hyundai ha BYD. Oñeha'ãrõ mercado okakuaa 36.000 millones de dólares ary 2035 peve.