ON Semiconductor investéiert US $ 2 Milliarde fir d'Produktiounskapazitéit vum Siliziumkarbid auszebauen

ON Semiconductor plangt bis zu US $ 2 Milliarde (CZK 44 Milliarden) an den nächste Joren ze investéieren fir seng Siliziumkarbid (SiC) Produktiounskapazitéit an der Tschechescher Republik auszebauen an en 40% Undeel vum weltwäiten Automobile SiC Chipmaart z'erreechen. Dës strategesch Beweegung ass entwéckelt fir d'wuessend Maartfuerderung fir High-Performance Power Semiconductors z'erreechen, wärend d'EU Ziler ënnerstëtzen fir Kuelestoffemissiounen an Ëmweltimpakt ze reduzéieren.