ON Semiconductor investuoja 2 milijardus JAV dolerių, kad padidintų silicio karbido gamybos pajėgumus

74
ON Semiconductor planuoja per ateinančius kelerius metus investuoti iki 2 milijardų JAV dolerių (44 milijardus CZK), kad padidintų savo silicio karbido (SiC) gamybos pajėgumus Čekijos Respublikoje ir užimtų 40 % pasaulinės automobilių SiC lustų rinkos. Šiuo strateginiu žingsniu siekiama patenkinti augantį didelio našumo galios puslaidininkių rinkos poreikį ir kartu palaikyti ES tikslus mažinti anglies dvideginio išmetimą ir poveikį aplinkai.