ON Semiconductor investeerib 2 miljardit USA dollarit ränikarbiidi tootmisvõimsuse laiendamiseks

ON Semiconductor plaanib järgmise paari aasta jooksul investeerida kuni 2 miljardit USA dollarit (44 miljardit Tšehhi krooni), et laiendada oma ränikarbiidi (SiC) tootmisvõimsust Tšehhi Vabariigis ja saavutada 40% osakaal ülemaailmsest autotööstuse ränikarbiidi kiibi turust. Selle strateegilise sammu eesmärk on rahuldada turu kasvavat nõudlust suure jõudlusega jõupooljuhtide järele, toetades samal ajal ELi eesmärke vähendada süsinikdioksiidi heitkoguseid ja keskkonnamõju.