SK Key Foundry í Suður-Kóreu staðfestir eiginleika 650 volta gallíumnítríðs (GaN) hára rafeindahreyfanleika smára (HEMT) tæki

SK Key Foundry, 8 tommu hreint obláta steypa Suður-Kóreu, tilkynnti nýlega að það hafi tekist að staðfesta eiginleika 650 volta gallíumnítríðs (GaN) hára rafeindahreyfanleika transistor (HEMT) tækis og er að auka þróunarviðleitni og búist er við að hún ljúki þróun innan á þessu ári. GaN er þekkt fyrir háhraða rofa og lágviðnám eiginleika og er talinn næstu kynslóð aflhálfleiðara Í samanburði við núverandi kísil (Si)-undirstaða hálfleiðara, hefur GaN kosti minna taps, meiri skilvirkni og minni stærð. Helstu notkunarsvið eru aflgjafar, tvinn- og rafknúin farartæki, sólarrafstraumar osfrv. SK Key Foundry ætlar að kynna 650V GaN HEMT fyrir núverandi orkuhálfleiðara notendum og leita að nýjum viðskiptavinum. Að auki ætlar fyrirtækið að auka GaN vöruúrval sitt til að bjóða upp á marga spennuvalkosti fyrir GaN HEMT og GaN IC.