Южнокорейская компания SK Key Foundry подтверждает характеристики 650-вольтового транзистора на основе нитрида галлия (GaN) с высокой подвижностью электронов (HEMT)

Южнокорейский завод по производству 8-дюймовых чистых пластин SK Key Foundry недавно объявил, что он успешно подтвердил характеристики 650-вольтового транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) и наращивает усилия по разработке и, как ожидается, завершит разработку в течение в этом году. GaN известен своей высокой скоростью переключения и низким сопротивлением и считается силовым полупроводником нового поколения. По сравнению с существующими полупроводниками на основе кремния (Si), GaN обладает преимуществами более низких потерь, более высокой эффективности и меньшего размера. Основные области применения включают источники питания, гибридные и электромобили, солнечные инверторы и т. д. SK Key Foundry планирует продвигать GaN HEMT 650 В среди существующих пользователей силовых полупроводников и искать новых клиентов. Кроме того, компания планирует расширить свой портфель продуктов GaN, предложив несколько вариантов напряжения для GaN HEMT и GaN IC.