Južnokorejski SK Key Foundry potrjuje značilnosti naprave 650-voltnega tranzistorja iz galijevega nitrida (GaN) z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT).

Južnokorejska livarna 8-palčnih čistih rezin SK Key Foundry je pred kratkim objavila, da je uspešno potrdila značilnosti naprave 650-voltnega tranzistorja z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT) iz galijevega nitrida (GaN) in povečuje razvojna prizadevanja ter naj bi dokončala razvoj v roku letos. GaN je znan po svojih hitrih preklapljanjih in nizkem uporu ter velja za močnostni polprevodnik naslednje generacije. V primerjavi z obstoječimi polprevodniki na osnovi silicija ima GaN prednosti nižje izgube, večje učinkovitosti in manjše velikosti. Glavna področja uporabe vključujejo napajalnike, hibridna in električna vozila, solarne pretvornike itd. SK Key Foundry načrtuje promocijo 650 V GaN HEMT obstoječim uporabnikom močnostnih polprevodnikov in iskanje novih strank. Poleg tega namerava podjetje razširiti svoj portfelj izdelkov GaN, da bi zagotovilo več možnosti napetosti za GaN HEMT in GaN IC.