Jihokorejská SK Key Foundry potvrzuje vlastnosti 650voltového nitridu galia (GaN) tranzistoru s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT)

Jihokorejská 8palcová slévárna čistých waferů SK Key Foundry nedávno oznámila, že úspěšně potvrdila vlastnosti 650voltového zařízení s nitridem galia (GaN) s vysokou elektronovou pohyblivostí tranzistoru (HEMT) a zvyšuje úsilí ve vývoji a očekává se, že dokončí vývoj v rámci letos. GaN je známý pro své vysokorychlostní spínání a nízký odpor a je považován za výkonový polovodič nové generace. Ve srovnání se stávajícími polovodiči na bázi křemíku (Si) má GaN výhody nižších ztrát, vyšší účinnosti a menší velikosti. Mezi hlavní oblasti použití patří napájecí zdroje, hybridní a elektrická vozidla, solární invertory atd. SK Key Foundry plánuje propagovat 650V GaN HEMT stávajícím uživatelům výkonových polovodičů a hledat nové zákazníky. Kromě toho společnost plánuje rozšířit své produktové portfolio GaN tak, aby poskytovalo více možností napětí pro GaN HEMT a GaN IC.