A dél-koreai SK Key Foundry megerősíti a 650 voltos gallium-nitrid (GaN) nagy elektronmobilitású tranzisztor (HEMT) eszköz jellemzőit

A dél-koreai 8 hüvelykes tiszta ostyaöntöde, az SK Key Foundry a közelmúltban bejelentette, hogy sikeresen megerősítette egy 650 V-os gallium-nitrid (GaN) nagy elektronmobilitású tranzisztor (HEMT) eszköz jellemzőit, és fokozza a fejlesztési erőfeszítéseket, és várhatóan befejezi a fejlesztést idén. A GaN a nagy sebességű kapcsolási és alacsony ellenállási jellemzőiről ismert, és a következő generációs teljesítmény-félvezetőnek számít. A fő alkalmazási területek közé tartoznak a tápegységek, a hibrid és elektromos járművek, a szoláris inverterek stb. Az SK Key Foundry azt tervezi, hogy népszerűsíti a 650 V-os GaN HEMT-et a meglévő teljesítmény-félvezető-felhasználók körében, és új ügyfeleket keres. Ezen túlmenően a vállalat azt tervezi, hogy bővíti GaN termékportfólióját, hogy többféle feszültség opciót biztosítson a GaN HEMT-ekhez és a GaN IC-ekhez.