SK Key Foundry e Koresë së Jugut konfirmon karakteristikat e pajisjes së transistorit me lëvizshmëri të lartë të elektroneve (HEMT) me nitrid galium 650 volt (GaN)

Fonderia e vaferës së pastër 8 inç e Koresë së Jugut SK Key Foundry njoftoi së fundmi se ka konfirmuar me sukses karakteristikat e një pajisjeje transistori me lëvizshmëri të lartë të elektroneve (HEMT) 650 volt nitridi galium (GaN) dhe po rrit përpjekjet për zhvillim dhe pritet të përfundojë zhvillimin brenda këtë vit. GaN është i njohur për karakteristikat e tij të ndërrimit me shpejtësi të lartë dhe rezistencës së ulët dhe konsiderohet një gjysmëpërçues i gjeneratës së ardhshme Krahasuar me gjysmëpërçuesit ekzistues me bazë silikoni (Si), GaN ka avantazhet e humbjes më të ulët, efikasitetit më të lartë dhe madhësisë më të vogël. Fushat kryesore të aplikimit përfshijnë furnizimet me energji elektrike, automjetet hibride dhe elektrike, inverterët diellorë, etj. SK Key Foundry planifikon të promovojë 650V GaN HEMT për përdoruesit ekzistues të gjysmëpërçuesve të energjisë dhe të kërkojë klientë të rinj. Përveç kësaj, kompania planifikon të zgjerojë portofolin e saj të produkteve GaN për të ofruar opsione të shumta të tensionit për GaN HEMT dhe GaN IC.