Kinumpirma ng SK Key Foundry ng South Korea ang 650-volt gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) na katangian ng device

Ang 8-pulgadang purong wafer foundry ng South Korea na SK Key Foundry ay inihayag kamakailan na matagumpay nitong nakumpirma ang mga katangian ng isang 650-volt gallium nitride (GaN) na high electron mobility transistor (HEMT) na device at nagdaragdag ng mga pagsisikap sa pag-unlad at inaasahang makumpleto ang pag-unlad sa loob ng ngayong taon. Ang GaN ay kilala sa mga katangian ng high-speed switching at mababang resistensya at itinuturing na isang susunod na henerasyon na power semiconductor Kung ikukumpara sa mga kasalukuyang semiconductors na nakabatay sa silicon (Si), ang GaN ay may mga pakinabang ng mas mababang pagkawala, mas mataas na kahusayan at mas maliit na sukat. Kabilang sa mga pangunahing lugar ng aplikasyon ang mga power supply, hybrid at electric na sasakyan, solar inverters, atbp. Plano ng SK Key Foundry na i-promote ang 650V GaN HEMT sa mga kasalukuyang gumagamit ng power semiconductor at maghanap ng mga bagong customer. Bilang karagdagan, plano ng kumpanya na palawakin ang portfolio ng produkto ng GaN nito upang magbigay ng maraming opsyon sa boltahe para sa mga GaN HEMT at GaN IC.