Corea del Sur-gua SK Key Foundry omoañete nitruro de galio (GaN) 650 voltios transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) característica dispositivo

Fundición de oblea puro 8 pulgadas Corea del Sur SK Key Foundry oikuaauka nda'areiete omoañete porãha característica orekóva dispositivo transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) nitruro de galio (GaN) 650 voltios ha ombohetáve esfuerzo desarrollo ha oñeha'ãrõ omohu'ã desarrollo hyepýpe ko arýpe. GaN ojekuaa conmutación velocidad yvate ha característica resistencia michĩva ha ojehecha semiconductor potencia generación oúvape oñembojojávo umi semiconductor oñemopyendáva silicio (Si) rehe, GaN oreko ventaja pérdida michîvéva, eficiencia yvate ha tamaño michîvéva. Umi área principal aplicación oime fuente de alimentación, mba'yrumýi híbrido ha eléctrico, inversor solar, etc. SK Key Foundry oreko plan omoherakuãvo 650V GaN HEMT umi usuario semiconductor de potencia oîva ha ohekávo cliente pyahu. Avei, empresa oreko plan ombotuichave haguã cartera de producto GaN ome'ëvo opción múltiple tensión umi HEMT GaN ha IC GaN.