Qingchun Semiconductor saņēma simtiem miljonu juaņu pirms B finansējuma kārtā

2023. gada decembrī Qingchun Semiconductor paziņoja par simtiem miljonu juaņu finansēšanas pabeigšanu pirms B kārtas finansēšanas, divu gadu laikā pabeidzot finansējumu gandrīz 1 miljarda juaņu apmērā. Uzņēmums ir piesaistījis tādu industriālo kapitālu kā NIO Capital un Silan Micro. Uzņēmuma produktu ritms ir viena paaudze gadā, un tas plāno pabeigt trešās paaudzes silīcija karbīda produktu izstrādi līdz 2024. gada beigām. Nākotnē tas izstrādās arī tranšeju silīcija karbīda produktus. 2023. gada decembrī Qingchun Semiconductor kumulatīvie SiC MOSFET sūtījumi ir sasnieguši 1,5 miljonus vienību, veiksmīgi panākot sērijveida piegādi daudziem jauniem enerģijas uzņēmumiem. Jaunu enerģijas transportlīdzekļu galvenās piedziņas mikroshēmu pārbaude un ieviešana norit raiti, un ir apkalpoti vairāk nekā 50 klienti. Qingchun Semiconductor ir veiksmīgi pielāgojis galveno draiveri SiC mikroshēmu Xizhi Technology, un tā galvenie rādītāji ir sasnieguši starptautisko vadošo līmeni.