„Qingchun Semiconductor“ gavo šimtus milijonų juanių išankstiniame B finansavimo etape

2023 m. gruodį „Qingchun Semiconductor“ paskelbė, kad užbaigs šimtus milijonų juanių išankstinio B etapo finansavimo, o per dvejus metus iš viso bus finansuojama beveik 1 mlrd. Bendrovė sulaukė tokio pramoninio kapitalo kaip NIO Capital ir Silan Micro palankumo. Bendrovės gaminių ritmas yra viena karta per metus, o trečios kartos silicio karbido gaminių kūrimą planuojama baigti iki 2024 m. pabaigos. Ateityje ji taip pat kurs tranšėjos silicio karbido gaminius. 2023 m. gruodžio mėn. „Qingchun Semiconductor“ bendras SiC MOSFET siuntų skaičius pasiekė 1,5 mln. vienetų, todėl daugeliui naujų energetikos įmonių buvo sėkmingai tiekiama partijomis. Naujų energetinių transporto priemonių pagrindinės pavaros lustų patikra ir įvedimas vyksta sklandžiai, buvo aptarnauta daugiau nei 50 klientų. „Qingchun Semiconductor“ sėkmingai pritaikė pagrindinį SiC lustą „Xizhi Technology“, o pagrindiniai jo rodikliai pasiekė tarptautinį pirmaujantį lygį.