Qingchun Semiconductor sai B-eelses rahastamisvoorus sadu miljoneid jüaane

2023. aasta detsembris teatas Qingchun Semiconductor mitmesaja miljoni jüaani suuruse B-eelse rahastamise lõpuleviimisest ja kahe aasta jooksul kokku ligi 1 miljardi jüaani suurusest rahastamisest. Ettevõte on pälvinud tööstuskapitali nagu NIO Capital ja Silan Micro poolehoidu. Ettevõtte tooterütm on üks põlvkond aastas ning kolmanda põlvkonna ränikarbiidist toodete arendamise plaanitakse lõpule viia 2024. aasta lõpuks. Samuti arendatakse edaspidi kaeviku ränikarbiidist tooteid. 2023. aasta detsembri seisuga on Qingchun Semiconductori SiC MOSFET-ide kumulatiivne tarne ulatunud 1,5 miljoni ühikuni, mis on edukalt saavutanud paljude uute energiaettevõtete partiide tarnimise. Uute energiasõidukite peaajami kiipide kontrollimine ja kasutuselevõtt edeneb sujuvalt ning teenindatud on üle 50 kliendi. Qingchun Semiconductor on edukalt kohandanud Xizhi Technology põhidraivi SiC-kiipi ja selle põhinäitajad on jõudnud rahvusvahelisele juhtivale tasemele.