日本豐田合成公司成功開發出200mm氮化鎵單晶晶圓

日本豐田合成株式會社宣布，已成功開發出用於垂直電晶體的200mm（8吋）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。這種新型電晶體可以提供比傳統橫向電晶體更高的功率元件密度，並可應用於200mm和300mm的矽基氮化鎵製程。大阪大學和豐田合成的研究人員透過使用Na-flux工藝，成功在200mm的多點種子（MPS）基板上生長出略小於200mm的對角線長度的六角形GaN晶體。