日本の豊田合成が200mm窒化ガリウム単結晶ウェーハの開発に成功

日本の豊田合成株式会社は、縦型トランジスタ用の200mm（8インチ）窒化ガリウム（GaN）単結晶ウェーハの開発に成功したと発表した。この新しいタイプのトランジスタは、従来の横型トランジスタよりも高い電力デバイス密度を提供でき、200mm および 300mm の GaN-on-Si プロセスに適用できます。大阪大学と豊田合成の研究者らは、Naフラックスプロセスを用いて、対角長200mm弱の六方晶系GaN結晶を200mmのマルチポイントシード（MPS）基板上に成長させることに成功した。