La japonesa Toyoda Gosei Corporation desarrolló con éxito una oblea monocristalina de nitruro de galio de 200 mm

La japonesa Toyoda Gosei Co., Ltd. anunció que ha desarrollado con éxito una oblea monocristalina de nitruro de galio (GaN) de 200 mm (8 pulgadas) para transistores verticales. Este nuevo tipo de transistor puede proporcionar una mayor densidad de potencia del dispositivo que los transistores laterales tradicionales y se puede aplicar a procesos de GaN-on-Si de 200 mm y 300 mm. Investigadores de la Universidad de Osaka y Toyoda Gosei han cultivado con éxito cristales de GaN hexagonales con una longitud diagonal de poco menos de 200 mm en un sustrato de semillas multipunto (MPS) de 200 mm utilizando el proceso Na-flux.