ဂျပန်နိုင်ငံ Toyoda Gosei ကော်ပိုရေးရှင်းသည် 200mm gallium nitride single-crystal wafer ကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့သည်။

Japan's Toyoda Gosei Co., Ltd. သည် ဒေါင်လိုက်ထရန်စစ္စတာများအတွက် 200mm (8-inch) gallium nitride (GaN) crystal wafer ကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့ကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။ ဤထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစားသစ်သည် သမားရိုးကျ ဘေးတိုက်ရှိ ထရန်စစ္စတာများထက် စွမ်းအားမြင့် စက်သိပ်သည်းဆကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး 200mm နှင့် 300mm GaN-on-Si လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးချနိုင်သည်။ Osaka University နှင့် Toyoda Gosei တို့မှ သုတေသီများသည် Na-flux လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ 200mm multi-point seed (MPS) အလွှာတွင် ထောင့်ဖြတ်အလျား 200mm အောက် အနည်းငယ်ရှိသော ဆဋ္ဌဂံပုံဆောင်ကျောက်များကို အောင်မြင်စွာ စိုက်ပျိုးနိုင်ခဲ့ပါသည်။