Tập đoàn Toyoda Gosei của Nhật Bản đã phát triển thành công tấm wafer đơn tinh thể gallium nitride 200mm

Công ty TNHH Toyoda Gosei của Nhật Bản thông báo rằng họ đã phát triển thành công tấm wafer đơn tinh thể gallium nitride (GaN) 200mm (8 inch) cho các bóng bán dẫn dọc. Loại bóng bán dẫn mới này có thể cung cấp mật độ thiết bị điện cao hơn so với các bóng bán dẫn truyền thống bên cạnh và có thể được áp dụng cho các quy trình GaN-on-Si 200 mm và 300 mm. Các nhà nghiên cứu từ Đại học Osaka và Toyoda Gosei đã phát triển thành công các tinh thể GaN hình lục giác với chiều dài đường chéo nhỏ hơn 200mm một chút trên chất nền hạt giống đa điểm (MPS) 200mm bằng quy trình Na-flux.