Yaponiyanın Toyoda Gosei korporasiyası uğurla 200 mm qallium nitrid monokristal vafli hazırladı.

Yaponiyanın Toyoda Gosei Co., Ltd. şirkəti şaquli tranzistorlar üçün 200 mm (8 düym) qallium nitridi (GaN) monokristal vaflisini uğurla inkişaf etdirdiyini elan etdi. Bu yeni tranzistor növü ənənəvi yanal tranzistorlardan daha yüksək güc qurğusu sıxlığını təmin edə bilər və 200mm və 300mm GaN-on-Si proseslərinə tətbiq edilə bilər. Osaka Universitetindən və Toyoda Qoseidən olan tədqiqatçılar Na-flux prosesindən istifadə edərək 200 mm-lik çox nöqtəli toxum (MPS) substratında diaqonal uzunluğu 200 mm-dən bir qədər az olan altıbucaqlı GaN kristallarını uğurla yetişdirdilər.