Japón-gua Toyoda Gosei Corporation ojapo porã peteĩ oblea nitruro de galio 200mm orekóva peteĩ cristal

Japón-gua Toyoda Gosei Co., Ltd. oikuaauka omoheñói porãha peteî oblea nitruro de galio (GaN) 200mm (8 pulgadas) cristal único umi transistor vertical-pe guarã. Ko tipo pyahu transistor rehegua ikatu omeꞌe densidad dispositivo de potencia yvateve umi transistor lateral tradicional-gui ha ikatu ojeporu umi proceso GaN-on-Si 200mm ha 300mm-pe. Umi investigador Universidad de Osaka ha Toyoda Gosei-gua okakuaa porã cristal GaN hexagonal orekóva ipukukue diagonal mbovyvéva 200mm-gui peteî sustrato semilla multipunto (MPS) 200mm rehe oiporúvo proceso Na-flux.