Imec宣布矽光子學重要突破

比利時微電子研究中心（Imec）於1月9日宣布，他們在矽光子學領域取得了重要突破。他們成功地在一個300mm的矽片上製造出了基於GaAs的電驅動多量子阱奈米脊雷射二極體。這種二極體的閾值電流低至5mA，輸出功率超過1mW，證明了在矽上直接外延生長高品質III-V材料的潛力。