Imec gibt wichtigen Durchbruch in der Siliziumphotonik bekannt

Das belgische Mikroelektronik-Forschungszentrum (Imec) gab am 9. Januar bekannt, dass es einen wichtigen Durchbruch auf dem Gebiet der Siliziumphotonik erzielt hat. Sie stellten erfolgreich eine GaAs-basierte elektrisch angetriebene Nanoridge-Laserdiode mit mehreren Quantenmulden auf einem 300-mm-Siliziumwafer her. Diese Diode hat einen Schwellenstrom von nur 5 mA und eine Ausgangsleistung von über 1 mW und demonstriert das Potenzial des epitaktischen Wachstums hochwertiger III-V-Materialien direkt auf Silizium.