Imec tilkynnir mikilvæga byltingu í kísilljóseindafræði

Belgíska Microelectronics Research Center (Imec) tilkynnti þann 9. janúar að þeir hefðu gert mikilvæga byltingu á sviði kísilljóseindafræði. Þeir framleiddu með góðum árangri GaAs-undirstaða rafdrifna margra skammtabrunn nanoridge leysidíóða á 300 mm sílikonskífu. Þessi díóða hefur þröskuldsstraum allt að 5mA og framleiðslafl yfir 1mW, sem sýnir möguleikann á að vaxa hágæða III-V efni beint á sílikon.