Imec از پیشرفت مهمی در فوتونیک سیلیکون خبر می دهد

مرکز تحقیقات میکروالکترونیک بلژیک (Imec) در 9 ژانویه اعلام کرد که پیشرفت مهمی در زمینه فوتونیک سیلیکون داشته است. آن‌ها با موفقیت یک دیود لیزری نانورجه‌ای چندگانه چاه کوانتومی مبتنی بر GaAs بر روی یک ویفر سیلیکونی 300 میلی‌متری ساختند. این دیود دارای جریان آستانه ای به اندازه 5 میلی آمپر و توان خروجی بیش از 1 میلی وات است که پتانسیل رشد همپایی مواد با کیفیت بالا III-V را مستقیماً روی سیلیکون نشان می دهد.