功率半导体材料发展情况
宽禁带
功率
氮化镓
碳化硅
半导体
SiC
发展
2024-04-29 18:00
0
功率半导体材料经历了四代的发展,从最初的硅(Si)、锗(Ge)到现在的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代宽禁带半导体材料。
Prev:一汽丰田与华为、腾讯合作,提升智能化出行体验
Next:富士康成立新公司聚焦新能源汽车,注册资本5亿元
快报
一手资料
数据
个人中心