安徽省が新たなIGBTプロジェクトに署名

最近、安徽省宜県は重要な IGBT プロジェクトの署名に成功しました。このプロジェクトは浙江王栄半導体有限公司が出資し、総投資額は5億元です。このプロジェクトは、イー県に新しいIGBTパッケージおよびモジュールの生産拠点を建設する予定で、完成後は年間1,400万個のIGBTパッケージおよびモジュールの生産能力を持つことが見込まれています。このプロジェクトが生産に到達すると、年間収益は1億5,000万元、年間納税額は400万元に達すると予想されます。