Ο Anhui υπογράφει νέο έργο IGBT

Πρόσφατα, η κομητεία Yi, στην επαρχία Anhui υπέγραψε με επιτυχία ένα σημαντικό έργο IGBT. Αυτό το έργο επενδύθηκε από την Zhejiang Wangrong Semiconductor Co., Ltd., με συνολική επένδυση 500 εκατομμυρίων γιουάν. Το έργο σχεδιάζει να δημιουργήσει μια νέα βάση συσκευασίας και παραγωγής δομοστοιχείων IGBT στην κομητεία Yi Αναμένεται να έχει ετήσια παραγωγική ικανότητα 14 εκατομμυρίων πακέτων και μονάδων IGBT μετά την ολοκλήρωση. Αφού το έργο φτάσει στην πλήρη παραγωγή, αναμένεται να επιτύχει ετήσια έσοδα 150 εκατομμυρίων γιουάν και ετήσια πληρωμή φόρου 4 εκατομμυρίων γιουάν.