Аньхой подписывает новый проект IGBT

Недавно округ И провинции Аньхой успешно подписал важный проект IGBT. Этот проект был инвестирован компанией Zhejiang Wangrong Semiconductor Co., Ltd., общий объем инвестиций составил 500 миллионов юаней. В рамках проекта планируется построить новую базу по производству корпусов и модулей IGBT в округе Йи. Ожидается, что после завершения проекта годовая производственная мощность составит 14 миллионов корпусов и модулей IGBT. Ожидается, что после выхода проекта на полную мощность годовой доход составит 150 миллионов юаней, а ежегодные налоговые выплаты составят 4 миллиона юаней.