Anhui paraksta jaunu IGBT projektu

Nesen Yi apgabals Anhui provincē veiksmīgi parakstīja svarīgu IGBT projektu. Šo projektu ieguldīja uzņēmums Zhejiang Wangrong Semiconductor Co., Ltd. ar kopējo ieguldījumu 500 miljonu juaņu apmērā. Projekts plāno uzbūvēt jaunu IGBT iepakojumu un moduļu ražošanas bāzi Yi apgabalā. Paredzams, ka pēc pabeigšanas tā ikgadējā ražošanas jauda būs 14 miljoni IGBT pakotņu un moduļu. Pēc tam, kad projekts sasniegs pilnu ražošanas apjomu, ir paredzēts sasniegt gada ieņēmumus 150 miljonu juaņu apmērā un ikgadējo nodokļu maksājumu 4 miljonu juaņu apmērā.