Anhui podpisuje nowy projekt IGBT

Niedawno hrabstwo Yi w prowincji Anhui pomyślnie podpisało ważny projekt IGBT. Projekt ten został zainwestowany przez firmę Zhejiang Wangrong Semiconductor Co., Ltd., a łączna wartość inwestycji wyniosła 500 milionów juanów. W ramach projektu planuje się budowę nowej bazy produkcyjnej opakowań i modułów IGBT w hrabstwie Yi. Oczekuje się, że po ukończeniu jej roczna zdolność produkcyjna będzie wynosić 14 milionów pakietów i modułów IGBT. Oczekuje się, że po wdrożeniu projektu do produkcji roczny dochód wyniesie 150 milionów juanów, a roczna płatność podatku wyniesie 4 miliony juanów.