Xinlian Integréiert China seng éischt 8-Zoll SiC MOSFET Produktiounslinn fänkt d'Produktioun un
Xinli Semiconductor
2024
2025
Jo
Si
IGBT
MOSFET
Mo
Pro
SiC MOS
SiC MOSFET
Si
Jo
Integratioun
Zoll
Integratioun
China
Joer
SiC
Produktioun
Produktioun
2025-01-16 09:14
274
Xinlian Integratioun huet ugefaang déi éischt 8-Zoll SiC MOSFET Produktiounslinn a China am Abrëll 2024 ze bauen, an huet d'Acquisitioun den 30. Dezember vum selwechte Joer ugekënnegt. D'Firma 6-Zoll SiC MOSFET Produktiounskapazitéit huet 8,000 Stécker pro Mount erreecht, während seng 8-Zoll IGBT a Silizium-baséiert MOSFET Produktiounskapazitéit 70,000 Stécker pro Mount erreecht huet. Et gëtt erwaart datt dës nei Produktiounslinn d'Massproduktioun am Joer 2025 fänkt.
