Начато производство первой в Китае 8-дюймовой линии по производству SiC MOSFET компании Xinlian Integrated

Xinlian Integration начала строительство первой 8-дюймовой линии по производству SiC MOSFET в Китае в апреле 2024 года и объявила о приобретении 30 декабря того же года. Производственная мощность компании по производству 6-дюймовых SiC MOSFET достигла 8000 штук в месяц, а производственная мощность 8-дюймовых IGBT и кремниевых MOSFET достигла 70 000 штук в месяц. Ожидается, что эта новая производственная линия начнет массовое производство в 2025 году.