קו הייצור הראשון של Xinlian Integrated China בגודל 8 אינץ' SiC MOSFET מתחיל בייצור

Xinlian Integration החלה לבנות את קו הייצור הראשון של SiC MOSFET בגודל 8 אינץ' בסין באפריל 2024, והודיעה על הרכישה ב-30 בדצמבר של אותה שנה. קיבולת הייצור של SiC MOSFET בגודל 6 אינץ' של החברה הגיעה ל-8,000 חתיכות בחודש, בעוד שכושר הייצור שלה בגודל 8 אינץ' IGBT ו-MOSFET מבוסס סיליקון הגיעה ל-70,000 חתיכות בחודש. צפוי שפס ייצור חדש זה יתחיל בייצור המוני ב-2025.