Xinlian Integrated ჩინეთის პირველი 8 დიუმიანი SiC MOSFET საწარმოო ხაზი იწყებს წარმოებას

Xinlian Integration-მა დაიწყო პირველი 8 დიუმიანი SiC MOSFET საწარმოო ხაზის მშენებლობა ჩინეთში 2024 წლის აპრილში და გამოაცხადა შესყიდვა იმავე წლის 30 დეკემბერს. კომპანიის 6 დიუმიანი SiC MOSFET-ის წარმოების სიმძლავრემ მიაღწია თვეში 8000 ცალს, ხოლო მისი 8 დიუმიანი IGBT და სილიკონზე დაფუძნებული MOSFET-ის წარმოების მოცულობამ მიაღწია თვეში 70000 ცალს. მოსალოდნელია, რომ ახალი საწარმოო ხაზი მასობრივ წარმოებას 2025 წელს დაიწყებს.