Südkoreas SK Semiconductor entwickelt 650-V-GaN-HEMT

Die südkoreanische SK Qifang Semiconductor Company gab bekannt, dass sie wichtige Geräteeigenschaften von Galliumnitrid erfolgreich erhalten hat und plant, die Entwicklung noch vor Jahresende abzuschließen. Das neue Produkt ist ein 650-V-GaN-HEMT, das voraussichtlich in Hochgeschwindigkeitsladeadaptern, LED-Beleuchtung, Rechenzentren, ESS und Solar-Mikrowechselrichtern eingesetzt wird. Im Jahr 2022 wurde SK Qifang Semiconductor von SK Hynix übernommen und wurde dessen Tochtergesellschaft. Zuvor konzentrierte sich SK Qifang Semiconductor auf das 8-Zoll-Halbleitergießereigeschäft auf Siliziumbasis. Seit der Unabhängigkeit von Magna Semiconductor im Jahr 2020 ist es zu einer reinen Wafergießerei geworden.