Южнокорейская компания SK Semiconductor разрабатывает GaN HEMT на 650 В

Южнокорейская компания SK Qifang Semiconductor объявила, что успешно получила ключевые характеристики устройства из нитрида галлия и планирует завершить разработку до конца года. Новым продуктом является GaN HEMT напряжением 650 В, который, как ожидается, будет использоваться в адаптерах высокоскоростной зарядки, светодиодном освещении, центрах обработки данных, ESS и солнечных микроинверторах. В 2022 году SK Qifang Semiconductor была приобретена SK Hynix и стала ее дочерней компанией. До этого SK Qifang Semiconductor специализировалась на литейном производстве 8-дюймовых полупроводников на основе кремния. С тех пор, как в 2020 году она стала независимой от Magna Semiconductor, она превратилась в предприятие по литью чистых пластин.