Hunan Sanan Semiconductor vydáva správu o pokroku 8-palcového monokryštálového materiálu z karbidu kremíka

Dr. Gao Yuqiang, asistent generálneho riaditeľa Hunan Sanan Semiconductor Company, poukázal na to, že zníženie nákladov je kľúčom k priemyselnému reťazcu karbidu kremíka, najmä substrátu a epitaxných častí. Hoci sa široko spomína metóda v kvapalnej fáze, metóda v plynnej fáze je stále hlavným výrobným procesom. Okrem toho je ešte potrebné zlepšiť výťažok a rýchlosť rastu karbidu kremíka. 8-palcový substrát od Sanan Semiconductor plus strata epitaxie je asi 4% a čelí problému ťažkostí pri rezaní. V budúcnosti bude hlavným smerom k zníženiu nákladov zníženie hrúbky.