Компанія Hunan Sanan Semiconductor опублікувала звіт про прогрес у виготовленні 8-дюймового монокристалічного карбіду кремнію

Доктор Гао Юцян, помічник генерального директора компанії Hunan Sanan Semiconductor Company, зазначив, що зниження витрат є ключовим у виробництві карбіду кремнію, особливо для підкладки та епітаксійних частин. Незважаючи на те, що рідкофазний метод широко згадується, газофазний метод все ще залишається основним виробничим процесом. Крім того, вихід і швидкість росту карбіду кремнію ще потребують покращення. 8-дюймова підкладка Sanan Semiconductor плюс втрати епітаксії становлять близько 4%, і вона стикається з проблемою труднощів при різанні. У майбутньому зменшення товщини буде основним напрямком зниження витрат.