Hunan Sanan Semiconductor گزارش پیشرفت مواد 8 اینچی کاربید سیلیکون تک کریستال را منتشر کرد.

دکتر گائو یوچیانگ، دستیار مدیر کل شرکت نیمه هادی هونان سانان، خاطرنشان کرد که کاهش هزینه کلید زنجیره صنعت کاربید سیلیکون، به ویژه قسمت های زیرلایه و اپیتاکسیال است. اگرچه روش فاز مایع به طور گسترده ذکر شده است، روش فاز گاز همچنان جریان اصلی تولید است. علاوه بر این، بازده و نرخ رشد کاربید سیلیکون هنوز نیاز به بهبود دارد. زیرلایه 8 اینچی Sanan Semiconductor به اضافه افت اپیتاکسی حدود 4 درصد است و با مشکل سختی برش مواجه است. در آینده کاهش ضخامت مسیر اصلی کاهش هزینه ها خواهد بود.