Hunan Sanan Semiconductor აქვეყნებს 8 დიუმიან სილიციუმის კარბიდის ერთკრისტალური მასალის პროგრესის ანგარიშს

დოქტორმა გაო იუკიანგმა, Hunan Sanan Semiconductor Company-ის გენერალური მენეჯერის ასისტენტმა, აღნიშნა, რომ ხარჯების შემცირება არის სილიციუმის კარბიდის ინდუსტრიის ჯაჭვის გასაღები, განსაკუთრებით სუბსტრატისა და ეპიტაქსიალური ნაწილების. მიუხედავად იმისა, რომ თხევადი ფაზის მეთოდი ფართოდ არის ნახსენები, გაზის ფაზის მეთოდი ჯერ კიდევ მთავარი წარმოების პროცესია. გარდა ამისა, სილიციუმის კარბიდის მოსავლიანობა და ზრდის ტემპი ჯერ კიდევ გასაუმჯობესებელია. Sanan Semiconductor-ის 8 დიუმიანი სუბსტრატი პლუს ეპიტაქსიის დანაკარგი არის დაახლოებით 4%, და მას აწყდება ჭრის სირთულე. მომავალში სისქის შემცირება იქნება ხარჯების შემცირების მთავარი მიმართულება.