Nexperia разрабатывает и производит три технологических устройства на своем заводе в Гамбурге, Германия.

Чтобы удовлетворить растущий долгосрочный спрос на высокоэффективные силовые полупроводники, Nexperia будет разрабатывать и производить устройства по трем процессам (SiC, GaN и Si) на своем заводе в Гамбурге, Германия, начиная с июня 2024 года. В том же месяце компания начнет производство высоковольтных GaN-транзисторов d-типа и SiC-диодов. В Nexperia заявили, что ее следующей вехой станет строительство 8-дюймовой современной экономичной линии по производству SiC MOSFET и низковольтных GaN HEMT. Ожидается, что производственные линии на заводе в Гамбурге будут завершены в течение следующих двух лет.