Некпериа развија и производи три процесна уређаја у својој фабрици у Хамбургу у Немачкој

Да би задовољила растућу дугорочну потражњу за високоефикасним енергетским полупроводницима, Некпериа ће развијати и производити уређаје у три процеса (СиЦ, ГаН и Си) у својој фабрици у Хамбургу, у Немачкој, почевши од јуна 2024. У истом месецу, производне линије за високонапонске ГаН д-моде транзисторе и СиЦ диоде почеће са производњом. Некпериа је саопштила да ће њена следећа прекретница бити изградња 8-инчне модерне, исплативе производне линије за СиЦ МОСФЕТ и нисконапонски ГаН ХЕМТ. Очекује се да ће производне линије бити завршене у фабрици у Хамбургу у наредне две године.