Nexperia razvija in proizvaja tri procesne naprave v svoji tovarni v Hamburgu v Nemčiji

Da bi zadostila naraščajočemu dolgoročnemu povpraševanju po močnostnih polprevodnikih z visokim izkoristkom, bo Nexperia z junijem 2024 razvijala in proizvajala naprave v treh procesih (SiC, GaN in Si) v svoji tovarni v Hamburgu v Nemčiji. Istega meseca se bodo začele proizvajati proizvodne linije visokonapetostnih GaN d-mode tranzistorjev in SiC diod. Nexperia je dejala, da bo njen naslednji mejnik izgradnja 8-palčne sodobne stroškovno učinkovite proizvodne linije za SiC MOSFET in nizkonapetostni GaN HEMT. Proizvodne linije naj bi bile dokončane v tovarni v Hamburgu v naslednjih dveh letih.