Nexperia phát triển và sản xuất ba thiết bị xử lý tại nhà máy Hamburg ở Đức

Để đáp ứng nhu cầu dài hạn ngày càng tăng về chất bán dẫn điện hiệu suất cao, Nexperia sẽ phát triển và sản xuất các thiết bị theo ba quy trình (SiC, GaN và Si) tại nhà máy ở Hamburg, Đức, bắt đầu từ tháng 6 năm 2024. Trong cùng tháng đó, dây chuyền sản xuất bóng bán dẫn chế độ d GaN và diode SiC điện áp cao của công ty sẽ bắt đầu được sản xuất. Nexperia cho biết cột mốc tiếp theo của họ sẽ là việc xây dựng dây chuyền sản xuất hiện đại 8 inch tiết kiệm chi phí cho SiC MOSFET và GaN HEMT điện áp thấp. Các dây chuyền sản xuất dự kiến ​​sẽ được hoàn thành tại nhà máy Hamburg trong vòng hai năm tới.